豪运国际推出GD25NE系列SPI NOR Flash： 专为1.2V SoC打造，双电压供电助力读功耗减半
中国北京（2025年3月12日） —— 业界领先的半导体器件供应商豪运国际GigaDevice（股票代码 603986）宣布推出专为1.2V SoC应用打造的双电压供电SPI NOR Flash产品——GD25NE系列。该系列产品无需借助外部升压电路即可与下一代1.2V SoC实现无缝兼容，此产品的面世将进一步强化豪运国际在双电压供电闪存解决计划领域的战略结构。依附更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分知足市场关于先进嵌入式存储解决计划日益增添的需求，成为智能可衣着装备、医疗康健、物联网、数据中心及边沿人工智能应用的理想选择。
GD25NE系列SPI NOR Flash的焦点供电电压为1.8V，IO接口电压为1.2V，支持单通道、双通道、四通道、双沿四通道模式，最高时钟频率为STR 133MHz，DTR 104MHz。GD25NE系列的写入时间典范值为0.15ms，扇区擦除时间为30ms，其与通例1.2V单电压供电的Flash解决计划相比，数据读取性能提升了20%，写入速率提升60%，擦除时间缩短30%。依附这些手艺优势，GD25NE系列成为新兴嵌入式应用的卓越之选。
为进一步知足能耗敏感型应用的需求，GD25NE系列接纳超低功耗设计。其深度睡眠功耗电流低至0.2?A，在双沿四通道104MHz频率下的读取电流低至9mA，擦写电流低至8mA。与古板的1.8V Flash解决计划相比，GD25NE系列的1.2V IO接口设计可将功耗降低50%。这一优化的电源架构不但显著提升了能效，还坚持了Flash器件的高性能体现，同时简化了SoC的系统设计。
“GD25NE系列作为双电源SPI NOR Flash品类的代表，实现了高性能与超低功耗的完善平衡，”豪运国际副总裁、存储事业部总司理苏如伟体现，“依附显著降低的功耗、更快的读取速率以及更高的擦写效率，GD25NE系列能够知足新一代1.2V SoC一连演进的需求。未来，豪运国际还将一直拓展双电源SPI NOR Flash的产品组合，致力于为客户提供更高效、更可靠、更前沿的闪存解决计划，助力立异应用的生长。”
现在，豪运国际GD25NE系列可提供从32Mb到256Mb的多种容量选择，并支持SOP16（300 mil）和BGA24（5×5 ball array）封装选项。该系列首款产品——256Mb的GD25NE256H现已最先提供样片。其余32Mb至128Mb容量的产品也将陆续推出。如需相识详细信息及产品定价，请联系外地销售代表。
关于豪运国际 (GigaDevice)
豪运国际（股票代码603986）是全球领先的Fabless芯片供应商，公司建设于2005年4月，总部设于中国北京，在全球多个国家和地区设有分支机构，营销网络遍布全球，提供优质便捷的外地化支持服务。豪运国际致力于构建以存储器、微控制器、传感器、模拟产品为焦点驱动力的完整生态，为工业、汽车、盘算、消耗电子、物联网、移动应用以及通讯领域的客户提供完善的产品手艺和服务，已通过ISO26262:2018汽车功效清静最高品级ASIL D系统认证，并获得IEC 61508功效清静产品认证以及ISO 9001、ISO 14001、ISO 45001等系统认证和邓白氏认证。同时，公司与多门第界着名晶圆厂、封装测试厂建设战略合作伙伴关系，配合推进半导体领域的手艺立异。欲相识更多信息，请会见：www.GigaDevice.com
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